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Intel:20nm 128GB新NAND閃存研發成功

[日期:2011-12-22] 來源:太平洋   作者:佚名 [字體: ]
推薦好站: 小女人網    Intel公司和Micron Technology, Inc.公司推出NAND閃存技術新基準首款20納米、128GB的多層單元(MLC)器件。他們還宣布其64GB版本已量產,進一步提高了該兩家公司在 NAND制程技術上的領導地位。

 20


芯片尺寸

  采用Intel和Micron IM技術 (IMFT) 的單片器件是第一只存儲量達1TB的器件,該器件僅有手指尖大小。新款20nm、128GB MLC NAND器件達到了現款產品的2倍性能。該128GB器件滿足高速ONFI 3.0規范的要求,可達到333兆/秒的傳輸率,為大量移動設備帶來了新的選擇。

  它們在20nm制程技術成功的關鍵是在于采用了新的單元結構,能容納更大規模的單元。其采用平面式單元結構,這在行業中是首次采用,以克服與先進制程技術伴隨而來的內在困難。由于在NAND產品上集成了第一Hi-K/金屬柵棧,這種平面式單元結構成功地突破了標準NAND浮動柵的比例瓶頸。

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